MOSFET nedir? Ana parametreler nelerdir?

Anahtarlamalı bir güç kaynağı veya motor sürücü devresi tasarlarkenMOSFET'lerMOS'un açık direnci, maksimum voltajı ve maksimum akımı gibi faktörler genellikle dikkate alınır.

MOSFET tüpleri, toplam 4 tip için geliştirme veya tükenme tipi, P-kanalı veya N-kanalı olarak üretilebilen bir FET türüdür. Genellikle iyileştirme NMOSFET'leri ve iyileştirme PMOSFET'leri kullanılır ve genellikle bu ikisinden bahsedilir.

Bu ikisinin daha yaygın olarak kullanıldığı NMOS'tur. Bunun nedeni iletken direncin küçük olması ve üretiminin kolay olmasıdır. Bu nedenle NMOS genellikle güç kaynağı ve motor sürücü uygulamalarında anahtarlamada kullanılır.

MOSFET'in içinde, motorlar gibi endüktif yüklerin çalıştırılmasında çok önemli olan ve genellikle entegre devre çipinde değil, yalnızca tek bir MOSFET'te bulunan, drenaj ile kaynak arasına bir tristör yerleştirilir.

MOSFET'in üç pimi arasında parazitik kapasitans mevcuttur, buna ihtiyacımız olduğundan değil, üretim sürecinin sınırlamalarından dolayı. Parazit kapasitansın varlığı, bir sürücü devresi tasarlarken veya seçerken işi daha zahmetli hale getirir, ancak bundan kaçınılamaz.

Ana parametrelerMOSFET

1, açık voltaj VT

Açık voltaj (eşik voltajı olarak da bilinir): kaynak S ile drenaj D arasında iletken bir kanal oluşturmaya başlamak için gereken kapı voltajı; standart N-kanallı MOSFET, VT yaklaşık 3 ~ 6V'dir; Süreç iyileştirmeleri sayesinde MOSFET VT değeri 2 ~ 3V'a düşürülebilir.

2, DC giriş direnci RGS

Geçit kaynağı kutbu ile geçit akımı arasına eklenen voltajın oranı Bu karakteristik bazen geçitten akan geçit akımıyla ifade edilir; MOSFET'in RGS'si kolaylıkla 1010Ω'u aşabilir.

3. Drenaj kaynağı arızası BVDS voltajı.

VGS = 0 (geliştirilmiş) koşulu altında, drenaj kaynağı voltajının arttırılması sürecinde, VDS, drenaj kaynağı arıza voltajı BVDS olarak adlandırıldığında ID keskin bir şekilde artar, ID iki nedenden dolayı keskin bir şekilde artar: (1) çığ drenaj yakınındaki tükenme tabakasının bozulması, (2) drenaj ve kaynak kutupları arasında penetrasyon bozulması, hendek uzunluğu daha kısa olan bazı MOSFET'ler VDS'yi arttırır, böylece drenaj bölgesindeki drenaj katmanı kaynağa kadar genişler. Kanal uzunluğunu sıfır yaparak, yani bir drenaj kaynağı nüfuzu, nüfuzu oluşturmak için, kaynak bölgesindeki taşıyıcıların çoğu, tükenme katmanının elektrik alanı tarafından doğrudan drenaj bölgesine çekilecek ve sonuçta büyük kimlik.

4, kapı kaynağı arıza voltajı BVGS

Geçit gerilimi artırıldığında, IG sıfırdan artırıldığında VGS'ye geçit kaynağı arıza gerilimi BVGS adı verilir.

5、Düşük frekanslı iletkenlik

VDS sabit bir değer olduğunda, drenaj akımının mikro değişiminin, değişikliğe neden olan geçit kaynağı voltajının mikro değişimine oranı geçiş iletkenliği olarak adlandırılır ve bu, geçit kaynağı voltajının drenaj akımını kontrol etme yeteneğini yansıtır ve bir amplifikasyon yeteneğini karakterize eden önemli bir parametredir.MOSFET.

6, direnç üzerinde RON

Açık direnç RON, VDS'nin ID üzerindeki etkisini gösterir, belirli bir noktada drenaj özelliklerinin teğet çizgisinin eğiminin tersidir, doyma bölgesinde ID neredeyse VDS ile değişmez, RON çok büyüktür değer genellikle onlarca kilo-Ohm'dan yüzlerce kilo-Ohm'a kadar değişir, çünkü dijital devrelerde MOSFET'ler genellikle iletken VDS = 0 durumunda çalışırlar, dolayısıyla bu noktada direnç RON, genel MOSFET için birkaç yüz ohm içindeki RON değerine yaklaşmak üzere RON'un kökenine göre yaklaşık olarak hesaplanabilir.

7, kutuplar arası kapasite

Üç elektrot arasında kutuplar arası kapasitans mevcuttur: kapı kaynak kapasitansı CGS, kapı drenaj kapasitansı CGD ve drenaj kaynağı kapasitansı CDS-CGS ve CGD yaklaşık 1~3pF'dir, CDS yaklaşık 0,1~1pF'dir.

8、Düşük frekanslı gürültü faktörü

Gürültü, boru hattındaki taşıyıcıların hareketindeki düzensizliklerden kaynaklanır. Varlığı nedeniyle amplifikatör tarafından herhangi bir sinyal iletilmese bile çıkışta düzensiz voltaj veya akım değişimleri meydana gelir. Gürültü performansı genellikle gürültü faktörü NF cinsinden ifade edilir. Birimi desibeldir (dB). Değer ne kadar küçük olursa tüpün ürettiği gürültü de o kadar az olur. Düşük frekanslı gürültü faktörü, düşük frekans aralığında ölçülen gürültü faktörüdür. Bir alan etkili tüpün gürültü faktörü, bipolar triyotunkinden daha az, yaklaşık birkaç dB'dir.