Kötü ısınan MOSFET'imi düzeltmek için ne yapabilirim?

Güç kaynağı devreleri veya tahrik alanındaki güç kaynağı devreleri kaçınılmaz olarakMOSFET'lerPek çok türde ve birçok işleve sahip olan. Güç kaynağı veya tahrik uygulamalarının değiştirilmesi için anahtarlama fonksiyonunun kullanılması doğaldır.

N tipi veya P tipi ne olursa olsunMOSFETPrensip esasen aynıdır, drenaj akımının çıkış tarafını düzenlemek için akımın bağlanma ucunun kapısına MOSFET eklenir, MOSFET voltaj kontrollü bir cihazdır ve kapıdaki kapıya eklenen akımı temel alır. cihazın özelliklerinin manipülasyonu, pozitif yük depolama etkisinin neden olduğu temel akım nedeniyle bir transistör gibi anahtarlamaya eğilimli değildir ve bu nedenle anahtarlama uygulamasında MOSFET anahtarlama hızının transistörden daha hızlı olması gerekir. Anahtarlama hızı triyottan daha hızlı olmalıdır.

MOSFETküçük akımlı ısıtma nedenleri

Şekil 1'de problemin devre prensibi, MOSFET'in anahtarlama durumundan ziyade doğrusal çalışma durumunda çalışmasına izin vermektir. Bu aynı zamanda MOSFET ısısının da bir nedenidir. N-MOS anahtarlama, G seviyesi çalışma voltajının anahtarlama güç kaynağından birkaç V daha fazla olması durumunda, tamamen açılıp kapanması için, P-MOS'un tam tersi olur. Tamamen açık değil ve kayıp çok büyük, bu da çıkış gücü kaybına neden oluyor, eşdeğer devre DC karakteristik empedansı daha büyük, kayıp genişliyor, dolayısıyla U * I de genişliyor, tükenme ısıyı temsil ediyor. Bu aynı zamanda en çok kaçınılan hatalı tasarım programı kontrol devresidir.

2, frekans çok yüksek, esas olarak bazen çok fazla mükemmel ses seviyesi arayışı, frekans artışına neden oluyor, MOSFET tüketimin genişlemesine neden oluyor, bu nedenle ısı da arttı.

3, yeterli ısı dışlama tasarım programı yapılmadı, akım çok yüksek, MOSFET toleranslı akım değeri, genellikle iyi bir ısı dışlamanın yapılabilmesini sağlamalıdır. Bu nedenle ID, yüksek akımdan daha düşüktür, aynı zamanda daha ciddi ısınma olasılığı da vardır, soğutucuya yardımcı olmak için yeterli olmalıdır.

4, MOSFET model seçimi doğru değil, çıkış gücü doğru değil, MOSFET direnci dikkate alınmıyor, bu da anahtarlama karakteristik empedansının genişlemesine neden oluyor.

MOSFET küçük akım ısınmasını daha ciddi nasıl çözeriz?