MOSFET'in çalışma prensibi nedir?

MOSFET (FieldEffect Transistör kısaltması (FET)) başlığıMOSFET. Çok kutuplu bağlantı transistörü olarak da bilinen termal iletkenliğe az sayıda taşıyıcının katılması. Voltaj kontrollü yarı süper iletken cihaz olarak kategorize edilir. Mevcut çıkış direnci yüksek (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), düşük gürültü, düşük güç tüketimi, statik aralık, entegrasyonu kolay, ikinci bir arıza olgusunun olmaması, geniş denizin sigorta görevi ve diğer avantajlar artık değişti güçlü işbirlikçilerin bipolar bağlantı transistörü ve güç bağlantı transistörü.

MOSFET'in özellikleri

Birincisi: MOSFET, VGS (geçit kaynağı voltajı) aracılığıyla ana ID'ye (drenaj DC) giden bir voltaj düzenleme cihazıdır;

Saniye:MOSFET'lerçıkış DC'si çok küçüktür, dolayısıyla çıkış direnci çok büyüktür.

Üç: Isıyı iletmek için birkaç taşıyıcı uygulanır ve bu nedenle daha iyi bir stabilite ölçüsüne sahiptir;

Dört: transistörden daha küçük olacak şekilde küçük katsayıların elektriksel indirgenmesinin azaltılmış bir yolundan oluşur; küçük katsayıların azaltılmış bir elektriksel indirgenme yolundan oluşur;

Beşinci: MOSFET'in ışınlama önleme gücü;

Altı: Gürültünün az olması nedeniyle dağınık gürültü parçacıklarının neden olduğu azınlık dağılımında hatalı bir aktivite yoktur.

MOSFET görev prensibi

MOSFETBir cümlede görev prensibi, yani "drenaj - kaynak, ID arasındaki kanal boyunca yürür, elektrot ve pn arasındaki kanal, ID'ye hakim olmak için ters öngerilimli elektrot voltajına dönüştürülür". Daha doğrusu, devre boyunca ID'nin genliği, yani kanal kesit alanı, pn bağlantısının karşı önyargılı değişimiyle, tükenme katmanının ortaya çıkmasının nedeninin ustalıktaki varyasyonu genişletmesidir. VGS=0 doymamış denizinde, belirtilen geçiş katmanının genişlemesi çok büyük değildir çünkü drenaj-kaynak arasına eklenen VDS'nin manyetik alanına göre, kaynak denizindeki bazı elektronlar drenaj tarafından çekilir. yani drenajdan kaynağa doğru bir DC ID etkinliği vardır. Geçitten kanalizasyona doğru genişleyen orta tabaka, ID dolu kanalın tüm gövdesini tıkayan tipte oluşturacaktır. Bu desene kıstırma olarak bakın. Bu, geçiş katmanının kanalın tamamını engellediğini sembolize eder ve DC'nin kesilmesi anlamına gelmez.

Geçiş katmanında, elektronların ve deliklerin kendi kendine hareketi olmadığından, genel DC akımının varlığının yalıtkan özelliklerinin gerçek formunda hareket etmesi zordur. Bununla birlikte, drenaj - kaynak arasındaki manyetik alan, pratikte, iki geçiş katmanının drenaj ve sol alt kapı kutbu ile temas etmesini sağlar, çünkü sürüklenme manyetik alanı, yüksek hızlı elektronları geçiş katmanı boyunca çeker. Çünkü sürüklenme manyetik alanının gücü, kimlik sahnesinin dolgunluğunu değiştirmez. İkinci olarak, VGS'nin negatif konumu değişir, böylece VGS = VGS (kapalı) olur, daha sonra geçiş katmanı tüm denizin tamamını kaplayacak şekilde şeklini büyük ölçüde değiştirir. Ve VDS'nin manyetik alanı büyük ölçüde geçiş katmanına eklenir, elektronu sürüklenme pozisyonuna çeken manyetik alan, çok kısa olanın kaynak kutbuna yakın olduğu sürece, bu daha fazla DC gücünün olmamasıdır. durgunlaşabilir.