MOSFET'leryaygın olarak kullanılmaktadır. Artık bazı büyük ölçekli entegre devrelerde kullanılan MOSFET, temel fonksiyon ve BJT transistörü, anahtarlama ve amplifikasyondur. Temelde BJT triyot kullanılabildiği yerlerde kullanılabilir ve bazı yerlerde performansı triyota göre daha iyidir.
MOSFET'in yükseltilmesi
MOSFET ve BJT triyot, her ikisi de yarı iletken amplifikatör cihazı olmasına rağmen, triyottan daha fazla avantaja sahiptir, örneğin yüksek giriş direnci, sinyal kaynağında neredeyse hiç akım yoktur, bu da giriş sinyalinin stabilitesine yardımcı olur. Giriş katı amplifikatörü olarak ideal bir cihazdır ve ayrıca düşük gürültü ve iyi sıcaklık stabilitesi avantajlarına sahiptir. Genellikle ses amplifikasyon devreleri için ön amplifikatör olarak kullanılır. Bununla birlikte, voltaj kontrollü bir akım cihazı olduğundan, drenaj akımı kapı kaynağı arasındaki voltaj tarafından kontrol edilir, düşük frekanslı geçiş iletkenliğinin amplifikasyon katsayısı genellikle büyük değildir, bu nedenle amplifikasyon yeteneği zayıftır.
MOSFET'in anahtarlama etkisi
MOSFET elektronik anahtar olarak kullanılır, yalnızca polion iletkenliğine dayandığından, temel akım ve yük depolama etkisinden dolayı BJT triyodu yoktur, bu nedenle MOSFET'in anahtarlama hızı, bir anahtarlama tüpü olarak triyottan daha hızlıdır. MOSFET'te kullanılan güç kaynaklarının işin yüksek frekanslı yüksek akım durumunda değiştirilmesi gibi yüksek frekanslı yüksek akım durumları için sıklıkla kullanılır. BJT triyot anahtarlarla karşılaştırıldığında, MOSFET anahtarlar daha küçük voltaj ve akımlarda çalışabilir ve silikon plakalara entegrasyonu daha kolaydır, bu nedenle büyük ölçekli entegre devrelerde yaygın olarak kullanılırlar.
Kullanırken alınacak önlemler nelerdir?MOSFET'ler?
MOSFET'ler triyotlardan daha hassastır ve uygunsuz kullanım nedeniyle kolayca zarar görebilirler, bu nedenle kullanılırken özel dikkat gösterilmelidir.
(1) Farklı kullanım durumları için uygun MOSFET tipinin seçilmesi gereklidir.
(2) MOSFET'ler, özellikle yalıtımlı kapılı MOSFET'ler yüksek giriş empedansına sahiptir ve kapı endüktans yükü nedeniyle tüpün zarar görmesini önlemek için kullanılmadığında her elektrota kısa devre yapılmalıdır.
(3) Bağlantı MOSFET'lerinin geçit kaynağı voltajı tersine çevrilemez ancak açık devre durumunda kaydedilebilir.
(4) MOSFET'in yüksek giriş empedansını korumak için tüpün nemden korunması ve kullanım ortamında kuru tutulması gerekir.
(5) MOSFET ile temas halinde olan yüklü nesnelerin (havya, test aletleri vb.) tüpün zarar görmesini önlemek için topraklanması gerekir. Özellikle yalıtımlı kapı MOSFET'i kaynak yaparken, kaynak - kapı sıralı kaynak sırasına göre, güç kapatıldıktan sonra kaynak yapmak en iyisidir. Havyanın gücü 15 ~ 30W'a uygundur, kaynak süresi 10 saniyeyi geçmemelidir.
(6) yalıtımlı kapı MOSFET bir multimetre ile test edilemez, yalnızca bir test cihazı ile test edilebilir ve yalnızca test cihazına erişildikten sonra elektrotların kısa devre kablolarını çıkarmak için test edilebilir. Çıkarıldığında, kapının sarkmasını önlemek için çıkarmadan önce elektrotlara kısa devre yapmak gerekir.
(7) KullanırkenMOSFET'lerAlt tabaka kabloları kullanıldığında alt tabaka kabloları düzgün şekilde bağlanmalıdır.
Gönderim zamanı: Nis-23-2024
