Yarı iletken alanındaki en temel cihazlardan biri olan MOSFET'ler, hem IC tasarımında hem de kart düzeyinde devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Günümüzde, özellikle yüksek güçlü yarı iletkenler alanında, MOSFET'lerin çeşitli farklı yapıları da yeri doldurulamaz bir rol oynamaktadır. İçinMOSFET'lerYapısının basit ve karmaşık bir arada olduğu söylenebilecek olan, yapısı itibariyle basit olan, karmaşık olanın derinlemesine ele alınmasının uygulanmasına dayanmaktadır. Günden güne,MOSFET Isı da çok sık karşılaşılan bir durum olarak kabul edilirse, bunun nedenlerini bilmemiz gereken anahtar, nereden ve hangi yöntemlerle çözülebilir? Sonra anlamak için bir araya gelelim.
I. SebepleriMOSFET ısıtma
1, devre tasarımı sorunu. MOSFET'in anahtarlama durumunda değil çevrimiçi durumda çalışmasına izin vermektir. MOSFET'in ısınmasının nedenlerinden biri de budur. Anahtarlamayı N-MOS yapıyorsa, tamamen açık olması için G seviyesi voltajının güç kaynağından birkaç V daha yüksek olması gerekir ve P-MOS için bunun tersi doğrudur. Tamamen açık değil ve voltaj düşüşü çok büyük, bu da güç tüketimine neden oluyor, eşdeğer DC empedansı nispeten büyük, voltaj düşüşü artıyor, dolayısıyla U * I de artıyor, kayıp ısı anlamına geliyor.
2, frekans çok yüksek. Esas olarak bazen hacmin çok fazla olması frekansın artmasına neden olur, MOSFET kayıpları artar ve bu da MOSFET'in ısınmasına neden olur.
3, akım çok yüksek. ID maksimum akımdan düşük olduğunda MOSFET'in ısınmasına da neden olur.
4, MOSFET modelinin seçimi yanlıştır. MOSFET'in iç direnci tam olarak dikkate alınmaz, bu da anahtarlama empedansının artmasına neden olur.yani
MOSFET'in şiddetli ısı üretimine çözüm
1, MOSFET'in ısı emici tasarımında iyi bir iş çıkarın.
2, Yeterli miktarda yardımcı ısı emici ekleyin.
3, ısı emici yapıştırıcıyı yapıştırın.
Gönderim zamanı: Mayıs-19-2024
