MOSFETMetal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör olarak bilinen, Alan Etkili Transistör (FET) türüne ait, yaygın olarak kullanılan bir elektronik cihazdır. Ana yapısıbir MOSFETmetal bir geçit, bir oksit yalıtım katmanı (genellikle Silikon Dioksit SiO₂) ve bir yarı iletken katmandan (genellikle silikon Si) oluşur. Çalışma prensibi, yarı iletkenin yüzeyindeki veya içindeki elektrik alanını değiştirmek için geçit voltajını kontrol etmek, böylece kaynak ile drenaj arasındaki akımı kontrol etmektir.
MOSFET'leriki ana tipe ayrılabilir: N-kanalMOSFET'ler(NMOS) ve P kanalıMOSFET'ler(PMOS). NMOS'ta geçit voltajı kaynağa göre pozitif olduğunda, yarı iletken yüzey üzerinde n-tipi iletken kanallar oluşturularak elektronların kaynaktan drenaja akmasına izin verilir. PMOS'ta geçit voltajı kaynağa göre negatif olduğunda, yarı iletken yüzeyinde p-tipi iletken kanallar oluşturularak deliklerin kaynaktan drenaja akmasına izin verilir.
MOSFET'leryüksek giriş empedansı, düşük gürültü, düşük güç tüketimi ve entegrasyon kolaylığı gibi birçok avantaja sahip olduğundan analog devrelerde, dijital devrelerde, güç yönetiminde, güç elektroniğinde, iletişim sistemlerinde ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılırlar. Entegre devrelerde,MOSFET'lerCMOS (Tamamlayıcı Metal Oksit Yarı İletken) mantık devrelerini oluşturan temel birimlerdir. CMOS devreleri, NMOS ve PMOS'un avantajlarını birleştirir ve düşük güç tüketimi, yüksek hız ve yüksek entegrasyon ile karakterize edilir.
Ek olarak,MOSFET'lerİletim kanallarının önceden oluşturulup oluşturulmamasına göre geliştirme tipi ve tükenme tipi olarak kategorize edilebilir. Geliştirme türüMOSFETkanal iletken olmadığında kapı voltajı sıfırdır, iletken bir kanal oluşturmak için belirli bir kapı voltajı uygulamanız gerekir; tükenme türü ikenMOSFETKanal zaten iletken olduğunda kapı voltajı sıfırdır, kapı voltajı kanalın iletkenliğini kontrol etmek için kullanılır.
Özetle,MOSFETkapı voltajını kontrol ederek kaynak ve drenaj arasındaki akımı düzenleyen, geniş bir uygulama alanına ve önemli teknik değere sahip, metal oksit yarı iletken yapıya dayanan alan etkili bir transistördür.
Gönderim zamanı: 12 Eylül 2024
