Günümüzde bilim ve teknolojinin hızla gelişmesiyle birlikte yarı iletkenler giderek daha fazla endüstride kullanılmaktadır.MOSFET Aynı zamanda çok yaygın bir yarı iletken cihaz olarak kabul edilir, bir sonraki adım bipolar güç kristal transistörünün özellikleri ile MOSFET çıkış gücü arasındaki farkın ne olduğunu anlamaktır.
1, çalışma şekli
MOSFET'in çalışma voltajını yükseltmek için gereken çalışma, devre şemalarını nispeten basit bir şekilde açıklamak, küçük gücü teşvik etmek; güç kristal transistörü, program tasarımını teşvik etmek için bir güç akışıdır, spesifikasyonu teşvik etmek için, spesifikasyonu teşvik etmek zor olan spesifikasyonun seçimi, güç kaynağının toplam anahtarlama hızını tehlikeye atacaktır.
2, güç kaynağının toplam anahtarlama hızı
Sıcaklıktan etkilenen MOSFET küçüktür, güç kaynağının anahtarlama çıkış gücü 150KHz'den fazla olmasını sağlayabilir; Güç kristal transistörünün, güç kaynağının anahtarlama hızını sınırlayan çok az ücretsiz şarj depolama süresi vardır, ancak çıkış gücü genellikle 50KHz'den fazla değildir.
3、Güvenli çalışma alanı
Güç MOSFET'i ikincil temeli yoktur ve güvenli çalışma alanı geniştir; güç kristal transistörünün güvenli çalışma alanını sınırlayan ikincil bir temel durumu vardır.
4、Elektrik iletkeni çalışma gereksinimi çalışma voltajı
GüçMOSFET yüksek voltaj tipine aittir, çalışma voltajının iletim çalışma gereksinimi daha yüksektir, pozitif bir sıcaklık katsayısı vardır; Güç kristal transistörünün çalışma gereksinimi çalışma voltajına ne kadar dayanıklı olursa olsun, elektrik iletkeni çalışma gereksinimi çalışma voltajı daha düşüktür ve negatif bir sıcaklık katsayısına sahiptir.
5, maksimum güç akışı
Anahtarlama güç kaynağı devresi güç kaynağı devresi güç kaynağı devresindeki güç MOSFET'i, bir güç kaynağı anahtarı olarak çalışır durumda ve ortada kararlı bir çalışma, maksimum güç akışı daha düşüktür; ve güç kristal transistörü çalışır durumda ve ortada kararlı çalışma, maksimum güç akışı daha yüksektir.
6、Ürün maliyeti
MOSFET'in güç maliyeti biraz daha yüksektir; güç kristali triyotunun maliyeti biraz daha düşüktür.
7、Nüfuz etme etkisi
Power MOSFET'in nüfuz etme etkisi yoktur; güç kristal transistörünün nüfuz etme etkisi vardır.
8、Anahtarlama kaybı
MOSFET anahtarlama kaybı çok fazla değil; güç kristal transistör anahtarlama kaybı nispeten büyüktür.
Ek olarak, gücün büyük çoğunluğunda MOSFET entegre şok emici diyot bulunurken, bipolar güç kristal transistörü neredeyse hiç entegre şok emici diyot içermez. MOSFET şok emici diyot, güç kaynağı devrelerinde güç faktörü açısını vermek için mıknatıs bobinlerini anahtarlamak için evrensel bir mıknatıs da olabilir. güç akışı güvenlik kanalının. Şok emici diyottaki alan etkisi tüpü, ters toparlanma akımı akışının varlığı nedeniyle genel diyotla kapanma işleminin tamamında, bu sırada diyot bir yandan önemli ölçüde drenaj - kaynak kutbunun pozitif ortasını alır Öte yandan çalışma voltajının iş gereksinimlerindeki artış ve ters toparlanma akımı akışı.
Gönderim zamanı: Mayıs-29-2024
