N tipi, P tipi MOSFET'in çalışma prensibi özü aynıdır, MOSFET, drenaj akımının çıkış tarafını başarılı bir şekilde kontrol etmek için esas olarak kapı voltajının giriş tarafına eklenir, MOSFET, eklenen voltaj aracılığıyla voltaj kontrollü bir cihazdır Geçide cihazın özelliklerini kontrol etmek için, triyottan farklı olarak şarj depolama etkisinden kaynaklanan baz akımı nedeniyle anahtarlama zamanı yapmak için, anahtarlama uygulamalarında, MOSFET'lerin anahtarlama uygulamalarında,MOSFET'ler anahtarlama hızı triyottan daha hızlıdır.
Anahtarlamalı güç kaynağında, yaygın olarak kullanılan MOSFET açık drenaj devresinde, drenaj yüke açık drenaj, açık drenaj devresi adı verilen şekilde bağlanır, yük ne kadar yüksek gerilime bağlanır, açılabilir, kapatılabilir. yük akımı, ideal analog anahtarlama cihazıdır, MOSFET'in prensibi anahtarlama cihazları yapmaktır, MOSFET'in daha fazla devre şeklinde anahtarlama yapmasıdır.
Güç kaynağı uygulamalarının değiştirilmesi açısından bu uygulama şunları gerektirir: MOSFET'ler Temel buck dönüştürücüde yaygın olarak kullanılan DC-DC güç kaynağı gibi periyodik olarak yürütmek, kapatmak, anahtarlama işlevini gerçekleştirmek için iki MOSFET'e dayanır, bu anahtarlar enerjiyi depolamak, enerjiyi yüke serbest bırakmak için dönüşümlü olarak indüktörde bulunur, genellikle seçer yüzlerce kHz, hatta 1 MHz'den fazla, çünkü frekans ne kadar yüksek olursa, manyetik bileşenler de o kadar küçük olur. Normal çalışma sırasında MOSFET bir iletkene eşdeğerdir, örneğin yüksek güçlü MOSFET'ler, küçük voltajlı MOSFET'ler, devreler, güç kaynağı MOS'un minimum iletim kaybıdır.
MOSFET PDF parametreleri, MOSFET üreticileri, açık durum empedansını tanımlamak için RDS (AÇIK) parametresini başarıyla benimsemiştir; anahtarlama uygulamaları için, RDS (AÇIK) en önemli cihaz özelliğidir; veri sayfaları RDS'yi (AÇIK) tanımlar, kapı (veya sürücü) voltajı VGS ve anahtardan akan akım ilişkilidir, yeterli geçit sürücüsü için RDS (AÇIK) nispeten statik bir parametredir; İletim halindeki MOSFET'ler ısı üretimine eğilimlidir ve yavaş yavaş artan bağlantı sıcaklıkları RDS'de (ON) bir artışa yol açabilir;MOSFET veri sayfaları, MOSFET paketinin yarı iletken bağlantısının ısıyı dağıtma yeteneği olarak tanımlanan termal empedans parametresini belirtir ve RθJC, basitçe bağlantıdan kasaya termal empedans olarak tanımlanır.
1, frekans çok yüksek, bazen hacmin aşırı takip edilmesi doğrudan yüksek frekansa yol açacaktır, MOSFET kaybı artar, ısı arttıkça, yeterli ısı dağılımı tasarımı iyi bir iş yapmaz, yüksek akım, nominal MOSFET'in mevcut değeri, iyi bir ısı dağılımı ihtiyacının elde edilebilmesi için; ID maksimum akımdan azdır, ciddi ısınma olabilir, yeterli yardımcı soğutucuya ihtiyaç duyulabilir.
2, MOSFET seçim hataları ve güç değerlendirmesindeki hatalar, MOSFET iç direnci tam olarak dikkate alınmaz, MOSFET ısınma problemleriyle uğraşırken doğrudan anahtarlama empedansının artmasına yol açacaktır.
3, devre tasarımı sorunları nedeniyle ısıya neden olur, böylece MOSFET, MOSFET ısınmasının doğrudan bir nedeni olan anahtarlama durumunda değil, doğrusal bir çalışma durumunda çalışır, örneğin, N-MOS anahtarlama yapar, G- Tam iletimin sağlanabilmesi için seviye voltajının güç kaynağından birkaç V daha yüksek olması gerekir; P-MOS farklıdır; tam açık olmaması durumunda voltaj düşüşü çok büyük olur, bu da güç tüketimine neden olur, eşdeğer DC empedansı daha büyük olur, voltaj düşüşü de artar, U*I da artar, kayıp ısıya neden olur.
Gönderim zamanı: Ağu-01-2024
