MOSFET Seçimi | N-Kanal MOSFET Yapım Prensipleri

P tipi bir substrat ve yüksek konsantrasyon değerlerine sahip iki n-yayılan alandan oluşan bir MOSFET'e n-kanalı denir.MOSFETn tipi bir iletken kanalın neden olduğu iletken kanal, tüp iletildiğinde yüksek konsantrasyon değerlerine sahip iki n-yayılma yolundaki n-yayılma yollarından kaynaklanır. n-kanallı kalınlaştırılmış MOSFET'ler, kapıda pozitif yönlü bir öngerilim mümkün olduğu kadar yükseltildiğinde ve yalnızca kapı kaynağının çalışması eşik voltajını aşan bir çalışma voltajı gerektirdiğinde iletken bir kanalın neden olduğu n-kanalına sahiptir. n-kanal tükenmeli MOSFET'ler kapı voltajına hazır olmayanlardır (kapı kaynağının çalışması sıfır çalışma voltajı gerektirir). Bir n-kanallı ışık tüketen MOSFET, geçit voltajı (geçit kaynağı çalışma gereksinimi çalışma voltajı sıfırdır) hazırlanmadığında iletken kanalın meydana geldiği bir n-kanallı MOSFET'tir.

      NMOSFET entegreleri N-kanallı MOSFET güç kaynağı devresidir, NMOSFET entegreleridir, giriş dirençleri çok yüksektir, büyük çoğunluğu güç akışının emilimini sindirmek zorunda değildir ve bu sayede CMOSFET ve NMOSFET entegreleri devreye girmeden bağlanır. Güç akışının yükünü hesaba katın. NMOSFET entegre devrelerinin büyük çoğunluğu tek gruplu pozitif anahtarlamalı güç kaynağı devresi güç kaynağı devrelerinin seçimidir. NMOSFET entegrelerinin çoğunluğu tek pozitif anahtarlama kullanır güç kaynağı devresi güç kaynağı devresi ve daha fazlası için 9V'a kadar. CMOSFET entegre devrelerinin yalnızca NMOSFET entegre devreleriyle aynı anahtarlama güç kaynağı devresini kullanması gerekir, NMOSFET entegre devrelerine hemen bağlanabilir. Bununla birlikte, NMOSFET'ten CMOSFET'e hemen bağlanır, çünkü NMOSFET çıkış çekme direnci CMOSFET entegre devre anahtarlı çekme direncinden daha azdır, bu nedenle potansiyel bir fark çekme direnci R uygulamaya çalışın, direncin değeri R'dir. genellikle 2 ila 100KΩ.