MOSFET'lerin ciddi ısı üretimini çözmeye yönelik fikirler

Bir sorun buldunuz mu bilmiyorum, MOSFET, çalışma sırasında güç kaynağı ekipmanını anahtarlama görevi görüyor, bazen ciddi ısınma oluyor, ısınma problemini çözmek istiyorsunuz.MOSFETÖncelikle sorunun nedenini tespit etmemiz gerekiyor, dolayısıyla sorunun nerede olduğunu bulmak için test yapmamız gerekiyor. Keşfi sayesindeMOS ısıtma Sorun, doğru anahtar noktayı seçme testi, sorunu çözmenin anahtarı olan analizle tutarlı değildir.

Güç kaynağı testinde, kontrol devresindeki diğer cihazların pin voltajını ölçmenin yanı sıra, osiloskopla takip ederek ilgili voltaj dalga formunu da ölçer. Anahtarlama güç kaynağının düzgün çalışıp çalışmadığını belirlemeye gittiğimizde, güç kaynağının nerede ölçüleceği çalışma durumunu yansıtabilir, normal değildir, PWM kontrol cihazı çıkışı normal değildir, darbe görev döngüsü ve genliği normal değildir, MOSFET'in değiştirilmesi Trafonun sekonder ve primer tarafı da dahil olmak üzere düzgün çalışmıyor ve geri bildirim çıkışı makul değil.

Test noktasının makul bir seçim olup olmadığı çok önemlidir, doğru seçim güvenli ve güvenilir ölçümler sağlayabilir, aynı zamanda nedeni bulmamız için hızlı bir şekilde sorun gidermemize de olanak tanır.

Genellikle MOSFET ısınmasının nedeni:

1: G-kutbu sürücü voltajı yeterli değil.

2: Drenaj ve kaynaktan geçen Id akımı çok yüksek.

3: Sürüş frekansı çok yüksek.

Yani MOSFET'teki testin odak noktası, sorunun kökü olan çalışmasının doğru bir şekilde test edilmesidir.

Osiloskop testini kullanmamız gerektiğinde, giriş voltajındaki kademeli artışa özellikle dikkat etmemiz gerektiğini, tepe voltajının veya akımın tasarım aralığımızın ötesinde olduğunu tespit edersek, bu sefer dikkat etmemiz gerektiği unutulmamalıdır. MOSFET'in ısınmasında bir anormallik varsa, MOSFET'in zarar görmesini önlemek için derhal güç kaynağını kapatmalı, sorunun nerede olduğunu gidermelisiniz.