IGBT ve MOSFET Arasındaki Farklar

IGBT (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörü) ve MOSFET (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör), güç elektroniğinde yaygın olarak kullanılan iki yaygın güç yarı iletken cihazıdır. Her ikisi de çeşitli uygulamalarda temel bileşenler olsa da, birçok açıdan önemli ölçüde farklılık gösterirler. IGBT ve MOSFET arasındaki temel farklar aşağıdadır:

1. Çalışma Prensibi

- IGBT: IGBT, hem BJT'nin (İki Kutuplu Bağlantı Transistörü) hem de MOSFET'in özelliklerini birleştirerek onu hibrit bir cihaz haline getirir. BJT'nin tabanını bir MOSFET'in geçit voltajı aracılığıyla kontrol eder, bu da BJT'nin iletimini ve kesilmesini kontrol eder. Bir IGBT'nin iletim ve kesme işlemleri nispeten karmaşık olmasına rağmen, düşük iletim gerilimi kayıplarına ve yüksek gerilim toleransına sahiptir.

- MOSFET: MOSFET, yarı iletkendeki akımı kapı voltajı aracılığıyla kontrol eden alan etkili bir transistördür. Geçit voltajı kaynak voltajını aştığında akımın akmasına izin veren iletken bir katman oluşur. Tersine, kapı voltajı eşiğin altında olduğunda iletken katman kaybolur ve akım akamaz. Bir MOSFET'in çalışması, yüksek anahtarlama hızlarıyla nispeten basittir.

2. Uygulama Alanları

- IGBT: Yüksek gerilim toleransı, düşük iletim gerilimi kaybı ve hızlı anahtarlama performansı nedeniyle IGBT özellikle invertörler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve kesintisiz güç kaynakları (UPS) gibi yüksek güçlü, düşük kayıplı uygulamalar için uygundur. . Bu uygulamalarda IGBT, yüksek gerilim ve yüksek akım anahtarlama işlemlerini verimli bir şekilde yönetir.

- MOSFET: Hızlı tepkisi, yüksek giriş direnci, kararlı anahtarlama performansı ve düşük maliyetiyle MOSFET, anahtarlamalı güç kaynakları, aydınlatma, ses amplifikatörleri ve mantık devreleri gibi düşük güçlü, hızlı anahtarlamalı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. . MOSFET, düşük güç ve düşük voltaj uygulamalarında olağanüstü iyi performans gösterir.