Yüksek güçlü MOSFET ısı dağıtma cihazının üretim yönteminden kısaca bahsedin

Isı dağıtma cihazı, içi boş bir yapı kasası (100) ve bir devre kartı (101) içerir. Devre kartı (101), kasanın (100) içinde düzenlenir. Bir dizi yan yana MOSFET (102), devre kartının (101) her iki ucuna pinler aracılığıyla bağlanır. Aynı zamanda, MOSFET'in (102) mahfazanın (100) iç duvarına yakın olacağı şekilde MOSFET'i (102) sıkıştırmak için bir ısı dağıtma basınç bloğu (103) içerir. Isı dağıtma basınç bloğu (103), içinden geçen bir birinci sirkülasyon su kanalına (104) sahiptir. Birinci dolaşan su kanalı (104), birkaç yan yana MOSFET (102) ile dikey olarak düzenlenmiştir.
Isı dağıtma basınç bloğu (103) MOSFET'i (102) mahfazanın (100) iç duvarına doğru bastırır ve MOSFET'in (102) ısısının bir kısmı mahfazaya (100) iletilir. Isının başka bir kısmı ısı dağıtma bloğuna (103) iletilir ve mahfaza (100) ısıyı havaya dağıtır. Isı dağıtma bloğunun (103) ısısı, birinci dolaşımdaki su kanalındaki (104) soğutma suyu tarafından alınır; bu, MOSFET'in (102) ısı dağıtma etkisini artırır. Aynı zamanda, mahfazadaki diğer bileşenler tarafından üretilen ısının bir kısmı, (100) aynı zamanda ısı dağıtma basınç bloğuna (103) da iletilir. Bu nedenle, ısı dağıtma basınç bloğu (103) mahfazadaki (100) sıcaklığı daha da azaltabilir ve mahfazadaki (100) diğer bileşenlerin çalışma verimliliğini ve hizmet ömrünü iyileştirmek; Muhafaza (100) içi boş bir yapıya sahiptir, böylece ısı muhafazada (100) kolaylıkla birikmez, böylece devre kartının (101) aşırı ısınması ve yanması önlenir. Muhafazanın (100) yan duvarı, birinci sirkülasyon su kanalına (104) paralel ikinci bir sirkülasyon su kanalı (105) ile donatılmıştır ve ikinci sirkülasyon su kanalı (105), karşılık gelen MOSFET'e (102) yakındır. Muhafazanın (100) dış duvarı bir ısı dağıtım oluğu (108) ile donatılmıştır. Muhafazanın (100) ısısı esas olarak ikinci sirkülasyon suyu kanalındaki (105) soğutma suyu yoluyla alınır. Isının başka bir kısmı, mahfazanın (100) ısı dağıtma etkisini geliştiren, ısı dağıtma oluğu (108) aracılığıyla dağıtılır. Isı dağıtma basınç bloğu (103), birkaç dişli delik (107) ile sağlanır. Isı dağıtma basınç bloğu (103), gövdeye sabit bir şekilde bağlanır. mahfazanın iç duvarı 100 vidalar aracılığıyla. Vidalar, mahfazanın (100) yan duvarlarındaki dişli deliklerden ısı dağıtma basınç bloğunun (103) dişli deliklerine vidalanır.

Mevcut buluşta, ısı dağıtma basınç bloğunun (103) kenarından bir bağlantı parçası (109) uzanır. Bağlantı parçası (109), bir dizi dişli delik (107) ile donatılmıştır. Bağlantı parçası (109), mahfazanın (100) iç duvarına sabit bir şekilde bağlanmıştır. vidalar aracılığıyla. Devre kartını (101) desteklemek için mahfazanın (100) iç duvarının her iki yanında destek çubukları (106) bulunur. Isı dağıtma basınç bloğu (103) mahfazanın (100) iç duvarına sabit bir şekilde bağlandığında, devre kartı (101) devre kartının (101) arasına bastırılır. ısı dağıtma basınç bloğunun (103) ve destek çubuklarının (106) yan duvarları. Kurulum sırasında, devre kartı (101) ilk olarak destek çubuğunun yüzeyine yerleştirilir. 106 ve ısı dağıtma basınç bloğunun (103) alt kısmı devre kartının (101) üst yüzeyine bastırılır. Daha sonra ısı dağıtma basınç bloğu (103) vidalarla mahfazanın (100) iç duvarına sabitlenir. Devre kartının (101) takılmasını ve çıkarılmasını kolaylaştırmak amacıyla devre kartını (101) kelepçelemek için ısı dağıtma basınç bloğu (103) ile destek çubuğu (106) arasında bir sıkıştırma oluğu oluşturulur. Aynı zamanda devre kartı (101) ısı dağıtımına yakındır. basınç bloğu (103). Bu nedenle, devre kartı (101) tarafından üretilen ısı, ısı dağıtma basınç bloğuna (103) iletilir ve ısı dağıtma basınç bloğu (103), birinci dolaşımdaki su kanalındaki (104) soğutma suyu tarafından taşınır, böylece devre kartının (101) aşırı ısınması önlenir. ve yanıyor. Tercihen, MOSFET (102) ile mahfazanın (100) iç duvarı arasına bir yalıtım filmi yerleştirilir ve ısı dağıtma basınç bloğu (103) ile MOSFET (102) arasına bir yalıtım filmi yerleştirilir.

Yüksek güçlü bir MOSFET ısı dağıtma cihazı, içi boş bir yapı kasası (200) ve bir devre kartı (202) içerir. Devre kartı (202), kasanın (200) içinde düzenlenir. Bir dizi yan yana MOSFET (202), sırasıyla devrenin her iki ucuna bağlanır. ve aynı zamanda MOSFET'lerin (202) sıkıştırılması için bir ısı dağıtma basınç bloğu (203) içerir, böylece MOSFET'ler 202 mahfazanın 200 iç duvarına yakındır. Birinci sirkülasyonlu su kanalı (204), ısı dağıtma basınç bloğunun (203) içinden geçer. Birinci sirkülasyonlu su kanalı (204), birkaç yan yana MOSFET (202) ile dikey olarak düzenlenir. Kabuğun yan duvarı, ısı dağıtma basınç bloğuna (205) dik olan bir ısı dağıtma borusu (205) ile sağlanır. birinci sirkülasyon yapan su kanalı (204) ve ısı dağıtım borusunun (205) bir ucu bir ısı ile sağlanır. dağıtım gövdesi (206). Diğer uç kapalıdır ve ısı dağıtım gövdesi (206) ve ısı dağıtım borusu (205) kapalı bir iç boşluk oluşturur ve soğutucu, iç boşlukta düzenlenir. MOSFET 202 ısı üretir ve soğutucuyu buharlaştırır. Buharlaşırken, ısıtma ucundan (MOSFET 202 ucuna yakın) ısıyı emer ve ardından ısıtma ucundan soğutma ucuna (MOSFET 202 ucundan uzağa) akar. Soğutma ucunda soğukla ​​karşılaştığında ısıyı tüp duvarının dış çevresine bırakır. Sıvı daha sonra ısıtma ucuna akar ve böylece bir ısı dağıtım devresi oluşturulur. Buharlaşma ve sıvı yoluyla bu ısı yayılımı, geleneksel ısı iletkenlerinin ısı yayılımından çok daha iyidir. Isı dağıtma gövdesi (206), ısı dağıtma borusuna (205) sabit bir şekilde bağlanan bir ısı dağıtma halkası (207) ve ısı dağıtma halkasına (207) sabit bir şekilde bağlanan bir ısı dağıtma kanadı (208) içerir; ısı dağıtım kanadı (208) aynı zamanda bir soğutma fanına (209) sabit bir şekilde bağlanmıştır.

Isı dağıtma halkası (207) ve ısı dağıtma borusu (205) uzun bir bağlantı mesafesine sahiptir, böylece ısı dağıtma halkası (207), hızlı ısı dağılımını sağlamak için ısı dağıtma borusundaki (205) ısıyı ısı dağıtma plakasına (208) hızlı bir şekilde aktarabilir.