WSP4447 P-Kanal -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Genel Açıklama
WSP4447, hendek teknolojisini kullanan ve yüksek hücre yoğunluğuna sahip, üstün performanslı bir MOSFET'tir. Mükemmel RDSON ve geçit şarjı sunarak çoğu senkron dönüştürücü uygulamasında kullanıma uygun hale getirir. WSP4447, RoHS ve Yeşil Ürün standartlarını karşılar ve tam güvenilirlik için %100 EAS garantisiyle birlikte gelir.
Özellikler
Gelişmiş Trench teknolojisi daha yüksek hücre yoğunluğuna izin vererek Süper Düşük Geçit Şarjına sahip Yeşil Cihaz ve mükemmel CdV/dt etkisi düşüşü sağlar.
Uygulamalar
Çeşitli Elektronikler için Yüksek Frekans Dönüştürücü
Bu dönüştürücü, dizüstü bilgisayarlar, oyun konsolları, ağ ekipmanları, e-sigaralar, kablosuz şarj cihazları, motorlar, drone'lar, tıbbi cihazlar, araç şarj cihazları, kontrol cihazları, dijital ürünler, küçük ev aletleri ve tüketici cihazları dahil olmak üzere çok çeşitli cihazlara verimli bir şekilde güç sağlamak üzere tasarlanmıştır. elektronik.
karşılık gelen malzeme numarası
AOS AO4425 AO4485, FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK,RUICHIPS RU40L10H.
Önemli parametreler
| Sembol | Parametre | Derecelendirme | Birimler |
| VDS'ler | Tahliye-Kaynak Gerilimi | -40 | V |
| VGS | Kapı-Kaynak Gerilimi | ±20 | V |
| Kimlik@TA=25°C | Sürekli Tahliye Akımı, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| Kimlik@TA=70°C | Sürekli Tahliye Akımı, VGS @ -10V1 | -9.0 | A |
| IDM bir | 300μs Darbeli Drenaj Akımı (VGS=-10V) | -44 | A |
| EAS b | Çığ Enerjisi, Tek darbe (L=0,1mH) | 54 | mJ |
| UMS b | Çığ Akımı, Tek darbe (L=0,1mH) | -33 | A |
| PD@TA=25°C | Toplam Güç Tüketimi4 | 2.0 | W |
| TSTG | Depolama Sıcaklık Aralığı | -55 ila 150 | °C |
| TJ | Çalışma Bağlantısı Sıcaklık Aralığı | -55 ila 150 | °C |
| Sembol | Parametre | Koşullar | Min. | Tip. | Maks. | Birim |
| BVDSS | Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS Sıcaklık Katsayısı | 25°C'ye referans, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/° |
| RDS(AÇIK) | Statik Tahliye-Kaynak Açma Direnci2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | Kapı Eşiği Gerilimi | VGS=VDS, Kimlik =-250uA | -1.4 | -1,9 | -2.4 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) Sıcaklık Katsayısı | --- | 5.04 | --- | mV/° | |
| IDSS | Drenaj-Kaynak Kaçak Akımı | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25°C | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55°C | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Kapı-Kaynak Kaçak Akımı | VGS=±20V , VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| kız arkadaşlar | İleri İletkenlik | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Toplam Geçit Şarjı (-4,5V) | VDS=-20V , VGS=-10V , ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Sorular | Kapı-Kaynak Ücreti | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Kapı Tahliye Ücreti | --- | 8 | --- | ||
| Td(açık) | Açılma Gecikme Süresi | VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A ,RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Yükselme Zamanı | --- | 12 | --- | ||
| Td(kapalı) | Kapanma Gecikme Süresi | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Sonbahar Zamanı | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Giriş Kapasitesi | VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Çünkü | Çıkış Kapasitesi | --- | 235 | --- | ||
| Haç | Ters Transfer Kapasitesi | --- | 180 | --- |
