WSD75N12GDN56 N-kanal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ürünler

WSD75N12GDN56 N-kanal 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kısa Açıklama:

Parça Numarası:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

İD:75A

RDSON:6mΩ

Kanal:N-kanalı

Paket:DFN5X6-8


Ürün ayrıntısı

Başvuru

Ürün etiketleri

WINSOK MOSFET ürününe genel bakış

WSD75N12GDN56 MOSFET'in voltajı 120V, akımı 75A, direnci 6mΩ, kanalı N-kanalı ve paketi DFN5X6-8'dir.

WINSOK MOSFET uygulama alanları

Tıbbi ekipman MOSFET, drone'lar MOSFET, PD güç kaynakları MOSFET, LED güç kaynakları MOSFET, endüstriyel ekipman MOSFET.

MOSFET uygulama alanlarıWINSOK MOSFET diğer marka malzeme numaralarına karşılık gelir

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

MOSFET parametreleri

Sembol

Parametre

Değerlendirme

Birimler

VDSS

Tahliye-Kaynak Gerilimi

120

V

VGS

Kapı-Kaynak Gerilimi

±20

V

ID

1

Sürekli Tahliye Akımı (Tc=25°C)

75

A

ID

1

Sürekli Tahliye Akımı (Tc=70°C)

70

A

IDM

Darbeli Drenaj Akımı

320

A

IAR

Tek darbeli çığ akımı

40

A

EASa

Tek darbeli çığ enerjisi

240

mJ

PD

Güç dağılımı

125

W

TJ, Tstg

Çalışma Bağlantısı ve Depolama Sıcaklık Aralığı

-55 ila 150

°C

TL

Lehimleme için Maksimum Sıcaklık

260

°C

RθJC

Termal Direnç, Bağlantıdan Kasaya

1.0

°C/W

RθJA

Termal Direnç, Kavşaktan Ortama

50

°C/W

 

Sembol

Parametre

Test Koşulları

Min.

Tip.

Maks.

Birimler

VDSS

Kaynağa Tahliye Gerilimi VGS=0V, ID=250μA

120

--

--

V

IDSS

Kaçak Akımın Kaynağına Tahliye VDS = 120V, VGS= 0V

--

--

1

µA

IGSS(F)

Kaynak İleri Sızıntısına Giden Kapı VGS =+20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

Kaynağa Giden Ters Sızıntı VGS =-20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

Kapı Eşik Voltajı VDS=VGS, Kimlik = 250μA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(AÇIK)1

Tahliyeden Kaynağa Karşı Direnç VGS=10V, ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

İleri İletkenlik VDS=5V, ID=50A  

130

--

S

Ciss

Giriş Kapasitesi VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz

--

4282

--

pF

Çünkü

Çıkış Kapasitesi

--

429

--

pF

Haç

Ters Transfer Kapasitesi

--

17

--

pF

Rg

Kapı direnci

--

2.5

--

Ω

td(AÇIK)

Açılma Gecikme Süresi

Kimlik =20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

Yükseliş zamanı

--

11

--

ns

td(KAPALI)

Kapanma Gecikme Süresi

--

55

--

ns

tf

Sonbahar Zamanı

--

28

--

ns

Qg

Toplam Kapı Ücreti VGS =0~10V VDS = 50VKimlik =20A

--

61.4

--

nC

Sorular

Kapı Kaynağı Yükü

--

17.4

--

nC

Qgd

Kapı Tahliye Ücreti

--

14.1

--

nC

IS

Diyot İleri Akımı TC =25 °C

--

--

100

A

ISM

Diyot Darbe Akımı

--

--

320

A

VSD

Diyot İleri Gerilimi IS=6.0A, VGS=0V

--

--

1.2

V

tr

Tersine Kurtarma süresi IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

QR

Ters Kurtarma Ücreti

--

250

--

nC


  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazıp bize gönderin