WSD60N10GDN56 N-kanal 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ürünler

WSD60N10GDN56 N-kanal 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kısa açıklama:

Parça Numarası:WSD60N10GDN56

BVDSS:100V

İD:60A

RDSON:8,5 mΩ

Kanal:N-kanalı

Paket:DFN5X6-8


Ürün Detayı

Başvuru

Ürün Etiketleri

WINSOK MOSFET ürününe genel bakış

WSD60N10GDN56 MOSFET'in voltajı 100V, akımı 60A, direnci 8,5mΩ, kanalı N-kanalı ve paketi DFN5X6-8'dir.

WINSOK MOSFET uygulama alanları

E-sigaralar MOSFET, kablosuz şarj MOSFET, motorlar MOSFET, drone'lar MOSFET, tıbbi bakım MOSFET, araç şarj cihazları MOSFET, kontrolörler MOSFET, dijital ürünler MOSFET, küçük ev aletleri MOSFET, tüketici elektroniği MOSFET.

MOSFET uygulama alanlarıWINSOK MOSFET diğer marka malzeme numaralarına karşılık gelir

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL ,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Yarı İletken MOSFET PDC92X.

MOSFET parametreleri

Sembol

Parametre

Derecelendirme

Birimler

VDS'ler

Tahliye-Kaynak Gerilimi

100

V

VGS

Kapı-Kaynak Gerilimi

±20

V

ID@TC=25°C

Sürekli Tahliye Akımı

60

A

ÜİYOK

Darbeli Drenaj Akımı

210

A

EAS

Çığ Enerjisi, Tek darbe

100

mJ

PD@TC=25°C

Toplam Güç Tüketimi

125

W

TSTG

Depolama Sıcaklık Aralığı

-55 ila 150

°C

TJ 

Çalışma Bağlantısı Sıcaklık Aralığı

-55 ila 150

°C

 

Sembol

Parametre

Koşullar

Min.

Tip.

Maks.

Birim

BVKDS 

Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi VGS=0V, benD=250uA

100

---

---

V

  Statik Tahliye-Kaynak Direnci VGS=10V, ID=10A.

---

8.5

10.0

RDS(AÇIK)

VGS=4,5V, İD=10A.

---

9.5

12.0

VGS(th)

Kapı Eşiği Gerilimi VGS=VDS, BEND=250uA

1.0

---

2,5

V

IDSS

Drenaj-Kaynak Kaçak Akımı VDS=80V,VGS=0V, TJ=25°C

---

---

1

uA

IGSS

Kapı-Kaynak Kaçak Akımı VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Toplam Geçit Şarjı (10V) VDS=50V,VGS=10V, benD=25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

Kapı-Kaynak Ücreti

---

6.5

---

Qgd 

Kapı Tahliye Ücreti

---

12.4

---

Td(açık)

Açılma Gecikme Süresi VDD=50V,VGS=10V,RG=2,2Ω, benD=25A

---

20.6

---

ns

Tr 

Yükselme Zamanı

---

5

---

Td(kapalı)

Kapanma Gecikme Süresi

---

51.8

---

Tf 

Sonbahar Zamanı

---

9

---

Cbu 

Giriş Kapasitesi VDS=50V,VGS=0V, f=1MHz

---

2604

---

pF

Çünkü

Çıkış Kapasitesi

---

362

---

CRSS 

Ters Transfer Kapasitesi

---

6.5

---

IS 

Sürekli Kaynak Akımı VG=VD=0V , Zorunlu Akım

---

---

60

A

İSS

Darbeli Kaynak Akımı

---

---

210

A

VSD

Diyot İleri Gerilimi VGS=0V, benS=12A,TJ=25°C

---

---

1.3

V

trr 

İyileşme Süresini Tersine Çevirmek IF=12A,dI/dt=100A/μs,TJ=25°C

---

60.4

---

nS

Qrr 

Ters Kurtarma Ücreti

---

106.1

---

nC


  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazıp bize gönderin