WSD6060DN56 N-kanal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kısa açıklama:

Parça Numarası:WSD6060DN56

BVDSS:60V

İD:65A

RDSON:7,5 mΩ

Kanal:N-kanalı

Paket:DFN5X6-8

Bize e-posta gönder PDF'ler

Ürün Detayı

Başvuru

Ürün Etiketleri

WINSOK MOSFET ürününe genel bakış

WSD6060DN56 MOSFET'in voltajı 60V, akımı 65A, direnci 7,5mΩ, kanalı N-kanalı ve paketi DFN5X6-8'dir.

WINSOK MOSFET uygulama alanları

E-sigaralar MOSFET, kablosuz şarj MOSFET, motorlar MOSFET, drone'lar MOSFET, tıbbi bakım MOSFET, araç şarj cihazları MOSFET, kontrolörler MOSFET, dijital ürünler MOSFET, küçük ev aletleri MOSFET, tüketici elektroniği MOSFET.

WINSOK MOSFET diğer marka malzeme numaralarına karşılık gelir

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Yarı İletken MOSFET PDC696X.

MOSFET parametreleri

Sembol	Parametre		Derecelendirme	Birim
Ortak Derecelendirmeler
VDSS	Tahliye-Kaynak Gerilimi		60	V
VGSS	Kapı-Kaynak Gerilimi		±20	V
T_J	Maksimum Bağlantı Sıcaklığı		150	°C
TSTG	Depolama Sıcaklık Aralığı		-55 ila 150	°C
I_S	Diyot Sürekli İleri Akım	T_c=25°C	30	A
ID	Sürekli Tahliye Akımı	T_c=25°C	65	A
ID	Sürekli Tahliye Akımı	T_c=70°C	42	A
DM atıyorum	Darbe Tahliye Akımı Test Edildi	T_c=25°C	250	A
P_D	Maksimum Güç Tüketimi	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Maksimum Güç Tüketimi	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Termal Direnç-Kurşun Bağlantısı	Kararlı hal	2.1	°C/W
RqJA	Isıl Direnç-Ortama Bağlantı	t £ 10'lar	45	°C/W
RqJA	Isıl Direnç-Ortama Bağlantı	Kararlı hal^b	50	°C/W
ben^d	Çığ Akımı, Tek darbe	L=0.5mH	18	A
E AS d	Çığ Enerjisi, Tek darbe	L=0.5mH	81	mJ

Sembol	Parametre	Test Koşulları		Min.	Tip.	Maks.	Birim
Statik Özellikler
BV_KDS	Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi	V_GS=0V, ben_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Sıfır Geçit Gerilimi Boşaltma Akımı	V_DS=48V,V_GS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Sıfır Geçit Gerilimi Boşaltma Akımı						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Kapı Eşiği Gerilimi	V_DS=V_GS, BEN_DS=250mA		1.2	1.5	2,5	V
IGSS	Kapı Kaçak Akımı	V_GS=±20V, V_DS=0V		-	-	±100	nA
R DS(AÇIK) 3	Drenaj Kaynağı Açık Durum Direnci	V_GS=10V, ben_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(AÇIK) 3	Drenaj Kaynağı Açık Durum Direnci	V_GS=4,5V, ben_DS=15A		-	10	15	m W
Diyot Özellikleri
VSD	Diyot İleri Gerilimi	I_SD=1A,V_GS=0V		-	0,75	1.2	V
t_rr	İyileşme Süresini Tersine Çevirmek	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/μs		-	42	-	ns
Q_rr	Ters Kurtarma Ücreti	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/μs		-	36	-	nC
Dinamik Özellikler^3,4
R_G	Kapı Direnci	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_bu	Giriş Kapasitesi	V_GS=0V, V_DS=30V, F=1.0MHz		-	1340	-	pF
C_oss	Çıkış Kapasitesi			-	270	-
C_RSS	Ters Transfer Kapasitesi			-	40	-
td(AÇIK)	Açılma Gecikme Süresi	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Açılış Yükselme Süresi			-	6	-
td( KAPALI)	Kapanma Gecikme Süresi			-	33	-
t_f	Kapanma Sonbahar Zamanı			-	30	-
Kapı Yükü Özellikleri ^3,4
Q_g	Toplam Kapı Ücreti	V_DS=30V, V_GS=4,5V, ben_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Toplam Kapı Ücreti	V_DS=30V,V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Eşik Kapısı Yükü			-	4.1	-
Q_gs	Kapı-Kaynak Ücreti			-	5	-
Q_gd	Kapı Tahliye Ücreti			-	4.2	-