WSD4098 Çift N-Kanal 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kısa açıklama:

Bu, Apple telefonlarını otomatik olarak tanıyan ve düğme aktivasyonu gerektirmeyen manyetik bir kablosuz güç bankasıdır. 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC giriş ve çıkış hızlı şarj protokollerini entegre eder. Apple/Samsung cep telefonu senkronize güçlendirme/aşamalı dönüştürücüler, Li pil şarj yönetimi, dijital tüp güç göstergesi, manyetik kablosuz şarj ve diğer işlevlerle uyumlu bir kablosuz güç bankası ürünüdür.

Model Numarası:WSD4098

BVDSS:40V

- RDSON:7,8 mΩ

İD:22A

Kanal:Çift N Kanalı

Paket:DFN5*6-8

Ürün Yazlık:WSD4098 MOSFET'in voltajı 40V, akımı 22A, direnci 7,8mΩ, kanalı Çift N-Kanal ve paketi DFN5*6-8'dir.

Uygulamalar:E-sigaralar, kablosuz şarj, motorlar, drone'lar, tıbbi bakım, araç şarj cihazları, kontrol cihazları, dijital ürünler, küçük ev aletleri, tüketici elektroniği.

Bize e-posta gönder PDF'ler

Ürün Detayı

Başvuru

Ürün Etiketleri

Genel Açıklama

WSD4098DN56, senkron dönüştürücü uygulamalarının çoğu için mükemmel RDSON ve kapı şarjı sağlayan, aşırı yüksek hücre yoğunluğuna sahip en yüksek performanslı kanal Çift N-Ch MOSFET'tir. WSD4098DN56, RoHS ve Yeşil Ürün gerekliliklerini karşılar ve tam işlev güvenilirliği onaylı %100 EAS garantilidir.

Özellikler

Gelişmiş yüksek hücre yoğunluğu Siper teknolojisi, Süper Düşük Geçit Şarjı, Mükemmel CdV/dt etkisi düşüşü,% 100 EAS Garantili, Yeşil Cihaz Mevcut

Uygulamalar

Yüksek Frekanslı Yük Noktası Senkron, MB/NB/UMPC/VGA için Buck Dönüştürücü, Ağ DC-DC Güç Sistemi, Yük Anahtarı, E-sigaralar, kablosuz şarj, motorlar, dronlar, tıbbi bakım, araç şarj cihazları, kontrol cihazları, dijital ürünler, küçük ev aletleri, tüketici elektroniği.

karşılık gelen malzeme numarası

AOS AON6884

Önemli parametreler

Sembol	Parametre		Derecelendirme	Birim
Ortak Derecelendirmeler
VDSS	Tahliye-Kaynak Gerilimi		40	V
VGSS	Kapı-Kaynak Gerilimi		±20	V
TJ	Maksimum Bağlantı Sıcaklığı		150	°C
TSTG	Depolama Sıcaklık Aralığı		-55 ila 150	°C
IS	Diyot Sürekli İleri Akım	TA=25°C	11.4	A
ID	Sürekli Tahliye Akımı	TA=25°C	22	A
ID	Sürekli Tahliye Akımı			A
		TA=70°C	22
DM atıyorum	Darbe Tahliye Akımı Test Edildi	TA=25°C	88	A
PD	Maksimum Güç Tüketimi	T. =25°C	25	W
PD	Maksimum Güç Tüketimi	TC=70°C	10	W
RqJL	Termal Direnç-Kurşun Bağlantısı	Kararlı hal	5	°C/W
RqJA	Isıl Direnç-Ortama Bağlantı	£ 10s	45	°C/W
RqJA	Isıl Direnç-Ortama Bağlantı	Kararlı Durum b	90	°C/W
ben de	Çığ Akımı, Tek darbe	L=0.5mH	28	A
E AS d	Çığ Enerjisi, Tek darbe	L=0.5mH	39.2	mJ

Sembol	Parametre	Test Koşulları		Min.	Tip.	Maks.	Birim
Statik Özellikler
BVDSS	Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Sıfır Geçit Gerilimi Boşaltma Akımı	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Sıfır Geçit Gerilimi Boşaltma Akımı						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	Kapı Eşiği Gerilimi	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2,5	V
IGSS	Kapı Kaçak Akımı	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(AÇIK) e	Drenaj Kaynağı Açık Durum Direnci	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(AÇIK) e	Drenaj Kaynağı Açık Durum Direnci	VGS=4,5V, IDS=12A		-	9.0	11	m W
Diyot Özellikleri
V SD e	Diyot İleri Gerilimi	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
tr	İyileşme Süresini Tersine Çevirmek	ISD=20A, dlSD /dt=100A/μs		-	23	-	ns
QR	Ters Kurtarma Ücreti	ISD=20A, dlSD /dt=100A/μs		-	13	-	nC
Dinamik Özellikler f
RG	Kapı Direnci	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2,5	-	W
Ciss	Giriş Kapasitesi	VGS=0V, VDS=20V, Frekans=1.0MHz		-	1370	1781	pF
Çünkü	Çıkış Kapasitesi			-	317	-
Haç	Ters Transfer Kapasitesi			-	96	-
td(AÇIK)	Açılma Gecikme Süresi	VDD =20V, RL=20W, ID=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Açılış Yükselme Süresi			-	8	-
td( KAPALI)	Kapanma Gecikme Süresi			-	30	-
tf	Kapanma Sonbahar Zamanı			-	21	-
Kapı Yükü Özellikleri f
Qg	Toplam Kapı Ücreti	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Toplam Kapı Ücreti	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Eşik Kapısı Yükü			-	2.6	-
Sorular	Kapı-Kaynak Ücreti			-	4.7	-
Qgd	Kapı Tahliye Ücreti			-	3	-