WSD30L88DN56 Çift P-kanalı -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kısa Açıklama:

Model numarası:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

- RDSON:11,5 mΩ

İD:-49A

Kanal:Çift P kanalı

Paket:DFN5*6-8

Ürün Yazlık:WSD30L88DN56 MOSFET'in voltajı -30V, akımı -49A, direnci 11,5mΩ, kanalı Çift P-kanalı ve paketi DFN5*6-8'dir.

Uygulamalar:E-sigaralar, kablosuz şarj, motorlar, drone'lar, tıbbi bakım, araç şarj cihazları, kontrol cihazları, dijital ürünler, küçük ev aletleri, tüketici elektroniği.

Bize e-posta gönder PDF'ler

Ürün ayrıntısı

Başvuru

Ürün etiketleri

Genel açıklama

WSD30L88DN56, senkron dönüştürücü uygulamalarının çoğu için mükemmel RDSON ve kapı şarjı sağlayan, aşırı yüksek hücre yoğunluğuna sahip en yüksek performanslı kanal Çift P-Ch MOSFET'tir.WSD30L88DN56, onaylı tam işlev güvenilirliği ile RoHS ve Yeşil Ürün gerekliliklerini %100 EAS garantili olarak karşılar.

Özellikler

Gelişmiş yüksek hücre yoğunluğu Siper teknolojisi ，Süper Düşük Geçit Şarjı ，Mükemmel CdV/dt etkisi düşüşü ，%100 EAS Garantili ，Yeşil Cihaz Mevcut.

Uygulamalar

Yüksek Frekanslı Yük Noktası Senkron, MB/NB/UMPC/VGA için Buck Dönüştürücü, Ağ DC-DC Güç Sistemi, Yük Anahtarı, E-sigaralar, kablosuz şarj, motorlar, dronlar, tıbbi bakım, araç şarj cihazları, kontrolörler, dijital ürünler, küçük ev aletleri, tüketici elektroniği.

karşılık gelen malzeme numarası

AOS

Önemli parametreler

Sembol	Parametre	Değerlendirme	Birimler
VDS'ler	Tahliye-Kaynak Gerilimi	-30	V
VGS	Kapı-Kaynak Gerilimi	±20	V
ID@TC=25°C	Sürekli Tahliye Akımı, VGS @ -10V1	-49	A
Kimlik@TC=100°C	Sürekli Tahliye Akımı, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Darbeli Tahliye Akımı2	-120	A
EAS	Tek Darbeli Çığ Enerjisi3	68	mJ
PD@TC=25°C	Toplam Güç Tüketimi4	40	W
TSTG	Depolama Sıcaklık Aralığı	-55 ila 150	°C
TJ	Çalışma Bağlantısı Sıcaklık Aralığı	-55 ila 150	°C