WSD3023DN56 N-Ch ve P-Kanal 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Kısa Açıklama:

Model numarası:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

- RDSON:14mΩ/23mΩ

İD:14A/-12A

Kanal:N-Ch ve P-Kanal

Paket:DFN5*6-8

Ürün Yazlık:WSD3023DN56 MOSFET'in voltajı 30V/-30V, akım 14A/-12A, direnç 14mΩ/23mΩ, kanal N-Ch ve P-Kanaldır ve paket DFN5*6-8'dir.

Uygulamalar:Drone'lar, motorlar, otomotiv elektroniği, büyük ev aletleri.

Bize e-posta gönder PDF'ler

Ürün ayrıntısı

Başvuru

Ürün etiketleri

Genel açıklama

WSD3023DN56, senkron dönüştürücü uygulamalarının çoğu için mükemmel RDSON ve kapı şarjı sağlayan, aşırı yüksek hücre yoğunluğuna sahip en yüksek performanslı kanal N-ch ve P-ch MOSFET'lerdir.WSD3023DN56, onaylı tam işlev güvenilirliği ile RoHS ve Yeşil Ürün gerekliliklerini %100 EAS garantili olarak karşılar.

Özellikler

Gelişmiş yüksek hücre yoğunluğu Siper teknolojisi, Süper Düşük Geçit Şarjı, Mükemmel CdV/dt etkisi düşüşü, %100 EAS Garantili, Yeşil Cihaz Mevcuttur.

Uygulamalar

MB/NB/UMPC/VGA için Yüksek Frekanslı Yük Noktası Senkron Buck Dönüştürücü, Ağ İletişimi DC-DC Güç Sistemi, CCFL Arka Işık İnvertörü, Drone'lar, motorlar, otomotiv elektroniği, büyük cihazlar.

karşılık gelen malzeme numarası

PANJIT PJQ5606

Önemli parametreler

Sembol	Parametre	Değerlendirme		Birimler
Sembol	Parametre	N-Ch	P-Ch	Birimler
VDS'ler	Tahliye-Kaynak Gerilimi	30	-30	V
VGS	Kapı-Kaynak Gerilimi	±20	±20	V
ID	Sürekli Tahliye Akımı, VGS(NP)=10V,Ta=25°C	14*	-12	A
ID	Sürekli Tahliye Akımı, VGS(NP)=10V,Ta=70°C	7.6	-9.7	A
ÜİYOK bir	Darbe Tahliye Akımı Test Edildi, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS c	Çığ Enerjisi, Tek darbe, L=0,5mH	20	20	mJ
UMS c	Çığ Akımı, Tek darbe, L=0,5mH	9	-9	A
PD	Toplam Güç Tüketimi, Ta=25°C	5.25	5.25	W
TSTG	Depolama Sıcaklık Aralığı	-55 ila 175	-55 ila 175	°C
TJ	Çalışma Bağlantısı Sıcaklık Aralığı	175	175	°C
RqJA b	Isıl Direnç-Ortama Bağlantı, Kararlı Durum	60	60	°C/W
RqJC	Termal Direnç-Kutuya Bağlantı, Kararlı Durum	6.25	6.25	°C/W

Sembol	Parametre	Koşullar	Min.	Tip.	Maks.	Birim
BVDSS	Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
RDS(AÇIK)d	Statik Tahliye-Kaynak Direnci	VGS=10V, ID=8A	---	14	18.5	mΩ
RDS(AÇIK)d	Statik Tahliye-Kaynak Direnci	VGS=4,5V, ID=5A	---	17	25	mΩ
VGS(th)	Kapı Eşik Voltajı	VGS=VDS, Kimlik =250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Drenaj-Kaynak Kaçak Akımı	VDS=20V, VGS=0V, TJ=25°C	---	---	1	uA
IDSS	Drenaj-Kaynak Kaçak Akımı	VDS=20V, VGS=0V, TJ=85°C	---	---	30	uA
IGSS	Kapı-Kaynak Kaçak Akımı	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Kapı Direnci	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Toplam Kapı Ücreti	VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Kapı-Kaynak Ücreti		---	1.0	---
Qgde	Kapı Tahliye Ücreti		---	2.8	---
Td(açık)e	Açılma Gecikme Süresi	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Tre	Yükseliş zamanı		---	8.6	---
Td(kapalı)e	Kapanma Gecikme Süresi		---	16	---
Tfe	Sonbahar Zamanı		---	3.6	---
Cisse	Giriş Kapasitesi	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	545	---	pF
Cosse	Çıkış Kapasitesi		---	95	---
Haç	Ters Transfer Kapasitesi		---	55	---