WSD100N15DN56G N-kanal 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET ürününe genel bakış
WSD100N15DN56G MOSFET'in voltajı 150V, akımı 100A, direnci 6mΩ, kanalı N-kanalı ve paketi DFN5X6-8'dir.
WINSOK MOSFET uygulama alanları
Tıbbi güç kaynakları MOSFET, PD'ler MOSFET, drone'lar MOSFET, elektronik sigaralar MOSFET, büyük cihazlar MOSFET ve elektrikli aletler MOSFET.
MOSFET parametreleri
Sembol | Parametre | Derecelendirme | Birimler |
VDS'ler | Tahliye-Kaynak Gerilimi | 150 | V |
VGS | Kapı-Kaynak Gerilimi | ±20 | V |
ID | Sürekli Tahliye Akımı, VGS@ 10V(T)C=25°C) | 100 | A |
IDM | Darbeli Drenaj Akımı | 360 | A |
EAS | Tek Darbeli Çığ Enerjisi | 400 | mJ |
PD | Toplam Güç Tüketimi...C=25°C) | 160 | W |
RθJA | Termal direnç, bağlantı ortamı | 62 | °C/W |
RθJC | Termal direnç, bağlantı kutusu | 0,78 | °C/W |
TSTG | Depolama Sıcaklık Aralığı | -55 ila 175 | °C |
TJ | Çalışma Bağlantısı Sıcaklık Aralığı | -55 ila 175 | °C |
Sembol | Parametre | Koşullar | Min. | Tip. | Maks. | Birim |
BVKDS | Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi | VGS=0V, benD=250uA | 150 | --- | --- | V |
RDS(AÇIK) | Statik Tahliye-Kaynak Direnci2 | VGS=10V, benD=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
VGS(th) | Kapı Eşiği Gerilimi | VGS=VDS, BEND=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
IDSS | Drenaj-Kaynak Kaçak Akımı | VDS=100V,VGS=0V, TJ=25°C | --- | --- | 1 | uA |
IGSS | Kapı-Kaynak Kaçak Akımı | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | Toplam Kapı Ücreti | VDS=50V,VGS=10V, benD=20A | --- | 66 | --- | nC |
Qgs | Kapı-Kaynak Ücreti | --- | 26 | --- | ||
Qgd | Kapı Tahliye Ücreti | --- | 18 | --- | ||
Td(açık) | Açılma Gecikme Süresi | VDD=50V,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
Tr | Yükselme Zamanı | --- | 98 | --- | ||
Td(kapalı) | Kapanma Gecikme Süresi | --- | 55 | --- | ||
Tf | Sonbahar Zamanı | --- | 20 | --- | ||
Cbu | Giriş Kapasitesi | VDS=30V,VGS=0V, f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
Çünkü | Çıkış Kapasitesi | --- | 1730 | --- | ||
CRSS | Ters Transfer Kapasitesi | --- | 195 | --- |