WSD100N06GDN56 N-kanal 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

ürünler

WSD100N06GDN56 N-kanal 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kısa açıklama:

Parça Numarası:WSD100N06GDN56

BVDSS:60V

İD:100A

RDSON:3mΩ 

Kanal:N-kanalı

Paket:DFN5X6-8


Ürün Detayı

Başvuru

Ürün Etiketleri

WINSOK MOSFET ürününe genel bakış

WSD100N06GDN56 MOSFET'in voltajı 60V, akımı 100A, direnci 3mΩ, kanalı N-kanalı ve paketi DFN5X6-8'dir.

WINSOK MOSFET uygulama alanları

Tıbbi güç kaynakları MOSFET, PD'ler MOSFET, drone'lar MOSFET, elektronik sigaralar MOSFET, büyük cihazlar MOSFET ve elektrikli aletler MOSFET.

WINSOK MOSFET diğer marka malzeme numaralarına karşılık gelir

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Yarı İletken MOSFET PDC692X.

MOSFET parametreleri

Sembol

Parametre

Derecelendirme

Birimler

VDS'ler

Tahliye-Kaynak Gerilimi

60

V

VGS

Kapı-Kaynak Gerilimi

±20

V

ID1,6

Sürekli Tahliye Akımı TC=25°C

100

A

TC=100°C

65

IDM2

Darbeli Drenaj Akımı TC=25°C

240

A

PD

Maksimum Güç Tüketimi TC=25°C

83

W

TC=100°C

50

IAS

Çığ Akımı, Tek darbe

45

A

EAS3

Tek Darbeli Çığ Enerjisi

101

mJ

TJ

Maksimum Bağlantı Sıcaklığı

150

°C

TSTG

Depolama Sıcaklık Aralığı

-55 ila 150

°C

RθJA1

Ortamla Termal Direnç Bağlantısı

Kararlı hal

55

°C/W

RθJC1

Termal Direnç-Kasaya Bağlantı

Kararlı hal

1.5

°C/W

 

Sembol

Parametre

Koşullar

Min.

Tip.

Maks.

Birim

Statik        

V(BR)DSS

Drenaj-Kaynak Arıza Gerilimi

VGS = 0V, Kimlik = 250μA

60    

V

IDSS

Sıfır Geçit Gerilimi Boşaltma Akımı

VDS = 48 V, VGS = 0V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Kapı Kaçak Akımı

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Özellikler Hakkında        

VGS(TH)

Kapı Eşiği Gerilimi

VGS = VDS, IDS = 250μA

1.2

1.8

2,5

V

RDS(açık)2

Drenaj Kaynağı Açık Durum Direnci

VGS = 10V, Kimlik = 20A

 

3.0

3.6

VGS = 4,5V, Kimlik = 15A

 

4.4

5.4

Anahtarlama        

Qg

Toplam Kapı Ücreti

VDS=30V

VGS=10V

Kimlik=20A

  58  

nC

Sorular

Kapı-Ekşi Yükü   16  

nC

Qgd

Kapı Tahliye Ücreti  

4.0

 

nC

td (açık)

Açılma Gecikme Süresi

VGEN=10V

VDD=30V

Kimlik=20A

RG=Ω

  18  

ns

tr

Açılış Yükselme Süresi  

8

 

ns

td(kapalı)

Kapanma Gecikme Süresi   50  

ns

tf

Kapanma Sonbahar Zamanı   11  

ns

Rg

Geçiş direnci

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

0,7

 

Ω

Dinamik        

Ciss

Kapasitansta

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

3458

 

pF

Çünkü

Çıkış Kapasitesi   1522  

pF

Haç

Ters Transfer Kapasitesi   22  

pF

Tahliye-Kaynak Diyot Özellikleri ve Maksimum Değerler        

IS1,5

Sürekli Kaynak Akımı

VG=VD=0V , Zorunlu Akım

   

55

A

ISM

Darbeli Kaynak Akımı3     240

A

VSD2

Diyot İleri Gerilimi

ISD = 1A, VGS=0V

 

0,8

1.3

V

tr

İyileşme Süresini Tersine Çevirmek

ISD=20A, dlSD/dt=100A/μs

  27  

ns

QR

Ters Kurtarma Ücreti   33  

nC


  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazıp bize gönderin